Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo (2006)
Epitaxial High-K Oxide Metal Gate MOSFETs: Damascene CMP Process Integration and Electrical Results.
In: Japanese Journal of Applied Physics
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2006 |
| Autor(en): | Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Epitaxial High-K Oxide Metal Gate MOSFETs: Damascene CMP Process Integration and Electrical Results |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 15 September 2006 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Japanese Journal of Applied Physics |
| Zusätzliche Informationen: | 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Yokohama, Japan, 13.-15.09.2006 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:26 |
| Letzte Änderung: | 08 Mai 2024 08:18 |
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