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Nanoscale Electrical Characterization of Crystalline Praseodymium Oxide High-k Gate Dielectric MOSFETs with Conductive Atomic Force Microscopy

Ruland, Tino ; Endres, Ralf ; Schwalke, Udo (2005)
Nanoscale Electrical Characterization of Crystalline Praseodymium Oxide High-k Gate Dielectric MOSFETs with Conductive Atomic Force Microscopy.
European Congress on Advanced Materials and Processes (EUROMAT). Prag, Tschechien (05.09.2005-08.09.2005)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2005
Autor(en): Ruland, Tino ; Endres, Ralf ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Nanoscale Electrical Characterization of Crystalline Praseodymium Oxide High-k Gate Dielectric MOSFETs with Conductive Atomic Force Microscopy
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 8 September 2005
Veranstaltungstitel: European Congress on Advanced Materials and Processes (EUROMAT)
Veranstaltungsort: Prag, Tschechien
Veranstaltungsdatum: 05.09.2005-08.09.2005
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:23
Letzte Änderung: 05 Mär 2013 09:08
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