Ruland, Tino ; Endres, Ralf ; Schwalke, Udo (2005)
Nanoscale Electrical Characterization of Crystalline Praseodymium Oxide High-k Gate Dielectric MOSFETs with Conductive Atomic Force Microscopy.
European Congress on Advanced Materials and Processes (EUROMAT). Prag, Tschechien (05.09.2005-08.09.2005)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
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Erschienen: | 2005 |
Autor(en): | Ruland, Tino ; Endres, Ralf ; Schwalke, Udo |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Nanoscale Electrical Characterization of Crystalline Praseodymium Oxide High-k Gate Dielectric MOSFETs with Conductive Atomic Force Microscopy |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 8 September 2005 |
Veranstaltungstitel: | European Congress on Advanced Materials and Processes (EUROMAT) |
Veranstaltungsort: | Prag, Tschechien |
Veranstaltungsdatum: | 05.09.2005-08.09.2005 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:23 |
Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 09:08 |
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