Petzold, Stefan ; Piros, Eszter ; Sharath, Sankaramangalam Ulhas ; Zintler, Alexander ; Hildebrandt, Erwin ; Molina-Luna, Leopoldo ; Wenger, Christian ; Alff, Lambert (2021)
Gradual reset and set characteristics in yttrium oxide based resistive random access memory.
In: Semiconductor Science and Technology, 2021, 34 (7)
doi: 10.26083/tuprints-00019328
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
This paper addresses the resistive switching behavior in yttrium oxide based resistive random access memory (RRAM) (TiN/yttrium oxide/Pt) devices. We report the coexistence of bipolar and unipolar resistive switching within a single device stack. For bipolar DC operation, the devices show gradual set and reset behavior with resistance ratio up to two orders of magnitude. By using nanosecond regime pulses (20 to 100 ns pulse width) of constant voltage amplitude, this gradual switching behavior could be utilized in tuning the resistance during set and reset spanning up to two orders of magnitude. This demonstrates that yttrium oxide based RRAM devices are alternative candidates for multibit operations and neuromorphic applications.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Petzold, Stefan ; Piros, Eszter ; Sharath, Sankaramangalam Ulhas ; Zintler, Alexander ; Hildebrandt, Erwin ; Molina-Luna, Leopoldo ; Wenger, Christian ; Alff, Lambert |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Gradual reset and set characteristics in yttrium oxide based resistive random access memory |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2021 |
| Verlag: | IOP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Semiconductor Science and Technology |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 34 |
| (Heft-)Nummer: | 7 |
| Kollation: | 6 Seiten |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019328 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19328 |
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| Herkunft: | Zweitveröffentlichung aus gefördertem Golden Open Access |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | This paper addresses the resistive switching behavior in yttrium oxide based resistive random access memory (RRAM) (TiN/yttrium oxide/Pt) devices. We report the coexistence of bipolar and unipolar resistive switching within a single device stack. For bipolar DC operation, the devices show gradual set and reset behavior with resistance ratio up to two orders of magnitude. By using nanosecond regime pulses (20 to 100 ns pulse width) of constant voltage amplitude, this gradual switching behavior could be utilized in tuning the resistance during set and reset spanning up to two orders of magnitude. This demonstrates that yttrium oxide based RRAM devices are alternative candidates for multibit operations and neuromorphic applications. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-193289 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 600 Technik |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Dünne Schichten |
| Hinterlegungsdatum: | 06 Sep 2021 12:09 |
| Letzte Änderung: | 13 Sep 2021 06:38 |
| PPN: | |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- Gradual reset and set characteristics in yttrium oxide based resistive random access memory. (deposited 06 Sep 2021 12:09) [Gegenwärtig angezeigt]
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