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Compact model for oxygen engineered Yttrium oxide-based resistive switching devices

Aguirre, F. ; Piros, E. ; Alff, L. ; Hochberger, C. ; Gehrunger, J. ; Petzold, S. ; Kaiser, N. ; Jalaguier, E. ; Nolot, E. ; Charpin-Nicolle, C. ; Vogel, T. ; Molina-Luna, L. ; Suñé, J. ; Miranda, E. (2022)
Compact model for oxygen engineered Yttrium oxide-based resistive switching devices.
2022 IEEE 22nd International Conference on Nanotechnology (NANO). Palma de Mallorca, Spain (04.07.2022 - 08.07.2022)
doi: 10.1109/NANO54668.2022.9928654
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2022
Autor(en): Aguirre, F. ; Piros, E. ; Alff, L. ; Hochberger, C. ; Gehrunger, J. ; Petzold, S. ; Kaiser, N. ; Jalaguier, E. ; Nolot, E. ; Charpin-Nicolle, C. ; Vogel, T. ; Molina-Luna, L. ; Suñé, J. ; Miranda, E.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Compact model for oxygen engineered Yttrium oxide-based resistive switching devices
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 8 November 2022
Ort: New York, NY
Verlag: IEEE
Buchtitel: 2022 IEEE 22nd International Conference on Nanotechnology (NANO)
Veranstaltungstitel: 2022 IEEE 22nd International Conference on Nanotechnology (NANO)
Veranstaltungsort: Palma de Mallorca, Spain
Veranstaltungsdatum: 04.07.2022 - 08.07.2022
DOI: 10.1109/NANO54668.2022.9928654
Freie Schlagworte: fabrication, systematics, oxygen, fitting, memristors, switches, SPICE, RRAM, compact model, SPICE, memristor, yttrium, resistive Switching
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Dünne Schichten
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Datentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Datentechnik > Rechnersysteme
Hinterlegungsdatum: 13 Mär 2024 06:48
Letzte Änderung: 13 Mär 2024 06:48
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