Cho, E. ; Seo, S. ; Jin, C. ; Pavlidis, D. ; Fu, G. ; Tuerck, J. ; Jaegermann, W. (2009)
Impact of in situ SiNx layer grown with metal organic vapor phase epitaxy on the electrical and optical properties of AlN/GaN metal insulator semiconductor field effect transistor structures.
In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 27 (5)
doi: 10.1116/1.3186615
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2009 |
| Autor(en): | Cho, E. ; Seo, S. ; Jin, C. ; Pavlidis, D. ; Fu, G. ; Tuerck, J. ; Jaegermann, W. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Impact of in situ SiNx layer grown with metal organic vapor phase epitaxy on the electrical and optical properties of AlN/GaN metal insulator semiconductor field effect transistor structures |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | September 2009 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 27 |
| (Heft-)Nummer: | 5 |
| DOI: | 10.1116/1.3186615 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
| Hinterlegungsdatum: | 25 Mär 2015 21:32 |
| Letzte Änderung: | 25 Mär 2015 21:32 |
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