Endres, Ralf ; Schwalke, Udo (2008)
Damascene Metal Gate Technology for Damage-Free High-k Process Integration.
In: Proceedings of the 7th International Semiconductor Technology Conference (ISTC)
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2008 |
| Autor(en): | Endres, Ralf ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Damascene Metal Gate Technology for Damage-Free High-k Process Integration |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 17 März 2008 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of the 7th International Semiconductor Technology Conference (ISTC) |
| Zusätzliche Informationen: | 7th International Semiconductor Technology Conference (ISTC), Shanghai, China, 15.-17.03.2008 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 01 Jul 2011 08:29 |
| Letzte Änderung: | 08 Mai 2024 08:20 |
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