Rispal, Lorraine ; Tschischke, T. ; Yang, Hongyu ; Schwalke, Udo (2008)
Mass-Production of Passivated CNTFETs: Statistics and Gate-Field Dependence of Hysteresis Effect.
In: ECS Transactions, 13 (14)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1149/1.2998532
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2008 |
| Autor(en): | Rispal, Lorraine ; Tschischke, T. ; Yang, Hongyu ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Mass-Production of Passivated CNTFETs: Statistics and Gate-Field Dependence of Hysteresis Effect |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 23 Mai 2008 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | ECS Transactions |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 13 |
| (Heft-)Nummer: | 14 |
| Veranstaltungstitel: | 213th Meeting of The Electrochemical Society (ECS) |
| Veranstaltungsort: | Phoenix, AZ, USA |
| Veranstaltungsdatum: | 18.-23.05.2008 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1149/1.2998532 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 01 Jul 2011 08:20 |
| Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 09:50 |
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