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Large-Scale In Situ Fabrication of Voltage-Programmable Dual-Layer High-k Dielectric Carbon Nanotube Memory Devices With High On/Off Ratio

Rispal, Lorraine ; Schwalke, Udo (2008)
Large-Scale In Situ Fabrication of Voltage-Programmable Dual-Layer High-k Dielectric Carbon Nanotube Memory Devices With High On/Off Ratio.
In: IEEE Electron Device Letters, 29 (12)
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2008
Autor(en): Rispal, Lorraine ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Large-Scale In Situ Fabrication of Voltage-Programmable Dual-Layer High-k Dielectric Carbon Nanotube Memory Devices With High On/Off Ratio
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 7 November 2008
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: IEEE Electron Device Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 29
(Heft-)Nummer: 12
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1109/LED.2008.2005850
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 29 Jun 2011 10:20
Letzte Änderung: 05 Mär 2013 09:50
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