Schwalke, Udo ; Rispal, Lorraine (2010)
Non-Volatile Memory Effect in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors: Charge Trapping in AlxOy High-k Dielectrics Made from Sacrificial Metal Catalyst.
41st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC). San Diego, CA, USA (02.-04.12.2010)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2010 |
| Autor(en): | Schwalke, Udo ; Rispal, Lorraine |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Non-Volatile Memory Effect in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors: Charge Trapping in AlxOy High-k Dielectrics Made from Sacrificial Metal Catalyst |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 4 Dezember 2010 |
| Veranstaltungstitel: | 41st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) |
| Veranstaltungsort: | San Diego, CA, USA |
| Veranstaltungsdatum: | 02.-04.12.2010 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 28 Jun 2011 09:36 |
| Letzte Änderung: | 22 Mai 2013 13:53 |
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