Buschmann, Veronique ; Rodewald, M. ; Fuess, H. ; van Tendeloo, G. ; Schäffer, C. (1999)
High resolution electron microscopy study of molecular beam epitaxy grown CoSi2/Si1-xGex/Si(100) heterostructures.
In: Journal of applied physics, 85
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 1999 |
| Autor(en): | Buschmann, Veronique ; Rodewald, M. ; Fuess, H. ; van Tendeloo, G. ; Schäffer, C. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | High resolution electron microscopy study of molecular beam epitaxy grown CoSi2/Si1-xGex/Si(100) heterostructures |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 1999 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of applied physics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 85 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Fachbereich Materialwissenschaft (1999 aufgegangen in 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften) |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 15:54 |
| Letzte Änderung: | 02 Mär 2022 14:21 |
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