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New Results in Calculating Critical Thickness and the Degree of Relaxation for Epitaxial Grown Silicon-Germanium Layers on Silicon

Biethan, Jens-Peter ; Kammler, Thorsten ; Naumann, Andreas ; Schwalke, Udo ; Stephan, Rolf ; Trui, Bernhard :
New Results in Calculating Critical Thickness and the Degree of Relaxation for Epitaxial Grown Silicon-Germanium Layers on Silicon.
In: Book of Abstracts: E-MRS Fall Meeting 2007 pp. 214-215.
[Artikel], (2007)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2007
Autor(en): Biethan, Jens-Peter ; Kammler, Thorsten ; Naumann, Andreas ; Schwalke, Udo ; Stephan, Rolf ; Trui, Bernhard
Titel: New Results in Calculating Critical Thickness and the Degree of Relaxation for Epitaxial Grown Silicon-Germanium Layers on Silicon
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Book of Abstracts: E-MRS Fall Meeting 2007
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Veranstaltungstitel: E-MRS Fall Meeting
Veranstaltungsort: Warschau, Polen
Veranstaltungsdatum: 17.-21.09.2007
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:26
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