Biethan, Jens-Peter ; Kammler, Thorsten ; Naumann, Andreas ; Schwalke, Udo ; Stephan, Rolf ; Trui, Bernhard (2007)
New Results in Calculating Critical Thickness and the Degree of Relaxation for Epitaxial Grown Silicon-Germanium Layers on Silicon.
In: Book of Abstracts: E-MRS Fall Meeting 2007
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2007 |
| Autor(en): | Biethan, Jens-Peter ; Kammler, Thorsten ; Naumann, Andreas ; Schwalke, Udo ; Stephan, Rolf ; Trui, Bernhard |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | New Results in Calculating Critical Thickness and the Degree of Relaxation for Epitaxial Grown Silicon-Germanium Layers on Silicon |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 21 September 2007 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Book of Abstracts: E-MRS Fall Meeting 2007 |
| Zusätzliche Informationen: | E-MRS Fall Meeting, Warschau, Polen, 17.-21.09.2007 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:26 |
| Letzte Änderung: | 08 Mai 2024 08:32 |
| PPN: | |
| Export: | |
| Suche nach Titel in: | TUfind oder in Google |
 |
Frage zum Eintrag |
Optionen (nur für Redakteure)
 |
Redaktionelle Details anzeigen |
Drucken
Impressum