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Technological Advances for Memory Applications: Crystalline High-K Gate Dielectrics and Alternatively Doped Gates

Stefanov, Yordan ; Komaragiri, Rama ; Schwalke, Udo :
Technological Advances for Memory Applications: Crystalline High-K Gate Dielectrics and Alternatively Doped Gates.
In: Proceedings of the 1st International Conference on Memory Technology and Design (ICMTD) p. 167.
[Artikel], (2005)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2005
Autor(en): Stefanov, Yordan ; Komaragiri, Rama ; Schwalke, Udo
Titel: Technological Advances for Memory Applications: Crystalline High-K Gate Dielectrics and Alternatively Doped Gates
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Proceedings of the 1st International Conference on Memory Technology and Design (ICMTD)
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Veranstaltungstitel: 1st International Conference on Memory Technology and Design (ICMTD)
Veranstaltungsort: Giens, Frankreich
Veranstaltungsdatum: 21.-24.05.2005
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:21
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