Stefanov, Yordan ; Komaragiri, Rama ; Schwalke, Udo (2005)
Technological Advances for Memory Applications: Crystalline High-K Gate Dielectrics and Alternatively Doped Gates.
In: Proceedings of the 1st International Conference on Memory Technology and Design (ICMTD)
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2005 |
| Autor(en): | Stefanov, Yordan ; Komaragiri, Rama ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Technological Advances for Memory Applications: Crystalline High-K Gate Dielectrics and Alternatively Doped Gates |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 24 Mai 2005 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of the 1st International Conference on Memory Technology and Design (ICMTD) |
| Veranstaltungstitel: | 1st International Conference on Memory Technology and Design (ICMTD) |
| Veranstaltungsort: | Giens, Frankreich |
| Veranstaltungsdatum: | 21.-24.05.2005 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:21 |
| Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:24 |
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