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Technological Advances for Memory Applications: Crystalline High-K Gate Dielectrics and Alternatively Doped Gates

Stefanov, Yordan ; Komaragiri, Rama ; Schwalke, Udo (2005)
Technological Advances for Memory Applications: Crystalline High-K Gate Dielectrics and Alternatively Doped Gates.
In: Proceedings of the 1st International Conference on Memory Technology and Design (ICMTD)
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2005
Autor(en): Stefanov, Yordan ; Komaragiri, Rama ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Technological Advances for Memory Applications: Crystalline High-K Gate Dielectrics and Alternatively Doped Gates
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 24 Mai 2005
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Proceedings of the 1st International Conference on Memory Technology and Design (ICMTD)
Zusätzliche Informationen:

1st International Conference on Memory Technology and Design (ICMTD), Giens, Frankreich, 21.-24.05.2005

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:21
Letzte Änderung: 08 Mai 2024 08:39
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