Stefanov, Yordan ; Hess, Gisela ; Tzschöckel, Gerhard ; Schwalke, Udo (2004)
Global and Local Charge Trapping Effects in Crystalline Praseodymium Oxide High-K Gate Dielectric MOSFETs.
In: Proceedings of the 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST)
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2004 |
| Autor(en): | Stefanov, Yordan ; Hess, Gisela ; Tzschöckel, Gerhard ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Global and Local Charge Trapping Effects in Crystalline Praseodymium Oxide High-K Gate Dielectric MOSFETs |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 17 September 2004 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of the 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST) |
| Zusätzliche Informationen: | 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST), Shanghai, China, 15.-17.09.2004 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:20 |
| Letzte Änderung: | 08 Mai 2024 08:23 |
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