Schwalke, Udo ; Stefanov, Yordan (2005)
Process Integration and Nanometer-Scale Electrical Characterization of Crystalline High-k Gate Dielectrics.
In: Microelectronics Reliability, 45 (5-6)
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2005 |
| Autor(en): | Schwalke, Udo ; Stefanov, Yordan |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Process Integration and Nanometer-Scale Electrical Characterization of Crystalline High-k Gate Dielectrics |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2005 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Microelectronics Reliability |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 45 |
| (Heft-)Nummer: | 5-6 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2004.11.047 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:19 |
| Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:25 |
| PPN: | |
| Export: | |
| Suche nach Titel in: | TUfind oder in Google |
 |
Frage zum Eintrag |
Optionen (nur für Redakteure)
 |
Redaktionelle Details anzeigen |
Drucken
Impressum