Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2003)
Stress Induced Charge Trapping Effects in SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes.
In: Journal of Applied Physics, 94 (10)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1063/1.1621718
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2003 |
Autor(en): | Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Stress Induced Charge Trapping Effects in SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | November 2003 |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Applied Physics |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 94 |
(Heft-)Nummer: | 10 |
URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1063/1.1621718 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:18 |
Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:25 |
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