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Stress Induced Charge Trapping Effects in SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes

Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo (2003)
Stress Induced Charge Trapping Effects in SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes.
In: Journal of Applied Physics, 94 (10)
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2003
Autor(en): Kerber, Andreas ; Cartier, E. ; Groeseneken, G. ; Maes, H. E. ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Stress Induced Charge Trapping Effects in SiO2/Al2O3 Gate Stacks with TiN Electrodes
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: November 2003
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Applied Physics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 94
(Heft-)Nummer: 10
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1063/1.1621718
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:18
Letzte Änderung: 20 Feb 2020 13:25
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