Rudolph, R. ; Tomm, Y. ; Pettenkofer, C. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram (2021)
Van der Waals xenotaxy: Oriented growth of hexagonal GaSe(001) on rectangular GaAs(110).
In: Applied Physics Letters, 2000, 76 (9)
doi: 10.26083/tuprints-00019887
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
The growth of the layered chalcogenide GaSe on cleaved GaAs(110) surfaces was investigated with photoemission and low-energy electron diffraction (LEED). GaSe films grow with their c axis perpendicular to the GaAs(110) surface. LEED patterns after initial film growth are a superposition of rectangular GaAs:Se spots and two hexagonal domains rotated by ±5° with respect to the GaAs ⟨001⟩ axis. At higher film thickness a hexagonal LEED pattern with GaSe〈120〉 ‖ GaAs 〈001〉 is obtained.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Rudolph, R. ; Tomm, Y. ; Pettenkofer, C. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Van der Waals xenotaxy: Oriented growth of hexagonal GaSe(001) on rectangular GaAs(110) |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2000 |
| Verlag: | AIP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 76 |
| (Heft-)Nummer: | 9 |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019887 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19887 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | The growth of the layered chalcogenide GaSe on cleaved GaAs(110) surfaces was investigated with photoemission and low-energy electron diffraction (LEED). GaSe films grow with their c axis perpendicular to the GaAs(110) surface. LEED patterns after initial film growth are a superposition of rectangular GaAs:Se spots and two hexagonal domains rotated by ±5° with respect to the GaAs ⟨001⟩ axis. At higher film thickness a hexagonal LEED pattern with GaSe〈120〉 ‖ GaAs 〈001〉 is obtained. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-198872 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
| Hinterlegungsdatum: | 12 Nov 2021 13:45 |
| Letzte Änderung: | 15 Nov 2021 06:53 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- Van der Waals xenotaxy: Oriented growth of hexagonal GaSe(001) on rectangular GaAs(110). (deposited 12 Nov 2021 13:45) [Gegenwärtig angezeigt]
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