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Scanning tunneling microscopy characterization of MOCVD grown GaN

Horn, Joachim ; Pavlidis, Dimitris ; Park, Yongjo ; Hartnagel, Hans L. (1996)
Scanning tunneling microscopy characterization of MOCVD grown GaN.
In: Materials Science and Engineering: B, 44 (1/3)
doi: 10.1016/S0921-5107(96)01791-6
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1996
Autor(en): Horn, Joachim ; Pavlidis, Dimitris ; Park, Yongjo ; Hartnagel, Hans L.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Scanning tunneling microscopy characterization of MOCVD grown GaN
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1996
Verlag: Elsevier
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Materials Science and Engineering: B
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 44
(Heft-)Nummer: 1/3
DOI: 10.1016/S0921-5107(96)01791-6
Zusätzliche Informationen:

3. International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (EXMATEC), Breisgau, 1996

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:04
Letzte Änderung: 08 Mai 2024 09:13
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