Vogt, A. ; Brandt, M. ; Sigurdardottir, A. ; Schüssler, M. ; Pena, D. ; Simon, A. ; Hartnagel, H. L. ; Rodewald, M. ; Roesner, M. ; Fuess, H. ; Goswami, S. N. N. ; Lal, K. (1997)
Characterisation of degradation mechanisms in resonant tunnelling diodes.
In: Microelectronics Reliability, 37 (10-11)
doi: 10.1016/S0026-2714(97)00141-8
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
By applying high voltage transmission line pulses and elevated temperatures we stressed resonant tunnelling diodes (RTD). The influence of the stress on the electrical characteristics of these devices is shown and the possible degradation mechanisms are identified. Various RTDs from different semiconductor systems (arsenides and antimonides) have been fabricated using molecular beam epitaxy. We report the influence of the growth temperatures of these RTDs on the device degradation.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 1997 |
| Autor(en): | Vogt, A. ; Brandt, M. ; Sigurdardottir, A. ; Schüssler, M. ; Pena, D. ; Simon, A. ; Hartnagel, H. L. ; Rodewald, M. ; Roesner, M. ; Fuess, H. ; Goswami, S. N. N. ; Lal, K. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Characterisation of degradation mechanisms in resonant tunnelling diodes |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 1 Oktober 1997 |
| Verlag: | Elsevier |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Microelectronics Reliability |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 37 |
| (Heft-)Nummer: | 10-11 |
| DOI: | 10.1016/S0026-2714(97)00141-8 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | By applying high voltage transmission line pulses and elevated temperatures we stressed resonant tunnelling diodes (RTD). The influence of the stress on the electrical characteristics of these devices is shown and the possible degradation mechanisms are identified. Various RTDs from different semiconductor systems (arsenides and antimonides) have been fabricated using molecular beam epitaxy. We report the influence of the growth temperatures of these RTDs on the device degradation. |
| Zusätzliche Informationen: | 8th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF'97), Arcachon, France, 07.-10.10.1997 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Strukturforschung 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Höchstfrequenzelektronik 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Fachbereich Materialwissenschaft (1999 aufgegangen in 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften) |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 16:04 |
| Letzte Änderung: | 13 Jun 2023 09:23 |
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