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New scanning photoluminescence technique for quantitative mapping of the lifetime and of the doping density in processed silicon wafers

Krawczyk, S. K. ; Bejar, ; Kostka, ; Nuban, ; Warta, ; Joly, ; Blanchet, :
New scanning photoluminescence technique for quantitative mapping of the lifetime and of the doping density in processed silicon wafers.
In: International Conference on Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors <7, 1997, Templin, Germany>: Proceedings .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (1997)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 1997
Autor(en): Krawczyk, S. K. ; Bejar, ; Kostka, ; Nuban, ; Warta, ; Joly, ; Blanchet,
Titel: New scanning photoluminescence technique for quantitative mapping of the lifetime and of the doping density in processed silicon wafers
Sprache: Englisch
Reihe: International Conference on Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors <7, 1997, Templin, Germany>: Proceedings
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:04
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