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New scanning photoluminescence technique for quantitative mapping of the lifetime and of the doping density in processed silicon wafers

Krawczyk, S. K. ; Bejar, M. ; Nuban, N. F. ; Blanchet, R. C. ; Kostka, A. ; Warta, W. ; Joly, J. P.
Hrsg.: Doneker, J. (1997)
New scanning photoluminescence technique for quantitative mapping of the lifetime and of the doping density in processed silicon wafers.
Seventh Conference on Defect Recognition and Image Processing. Templin (7.-10. September 1997)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 1997
Herausgeber: Doneker, J.
Autor(en): Krawczyk, S. K. ; Bejar, M. ; Nuban, N. F. ; Blanchet, R. C. ; Kostka, A. ; Warta, W. ; Joly, J. P.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: New scanning photoluminescence technique for quantitative mapping of the lifetime and of the doping density in processed silicon wafers
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1997
Ort: Bristol
Verlag: Inst. of Physics Publ.
Buchtitel: Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors 1997
Reihe: International Conference on Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors <7, 1997, Templin, Germany>: Proceedings
Kollation: 4 Seiten
Veranstaltungstitel: Seventh Conference on Defect Recognition and Image Processing
Veranstaltungsort: Templin
Veranstaltungsdatum: 7.-10. September 1997
Zusätzliche Informationen:

Chapter 31

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:04
Letzte Änderung: 18 Apr 2024 13:33
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