Deuermeier, Jonas ; Gassmann, Jürgen ; Broetz, Joachim ; Klein, Andreas (2011)
Reactive magnetron sputtering of Cu2O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide.
In: Journal of Applied Physics, 109 (11)
doi: 10.1063/1.3592981
Artikel, Bibliographie
Dies ist die neueste Version dieses Eintrags.
Kurzbeschreibung (Abstract)
Thin films of copper oxides were prepared by reactive magnetron sputtering and structural, morphological, chemical, and electronic properties were analyzed using x-ray diffraction, atomic force microscopy, in situ photoelectron spectroscopy, and electrical resistance measurements. The deposition conditions for preparation of Cu(I)-oxide (Cu2O) are identified. In addition, the interface formation between Cu2O and Sn-doped In2O3 (ITO) was studied by stepwise deposition of Cu2O onto ITO and vice versa. A type II (staggered) band alignment with a valence band offset ΔEVB = 2.1–2.6 eV depending on interface preparation is observed. The band alignment explains the nonrectifying behavior of p-Cu2O/n-ITO junctions, which have been investigated for thin film solar cells.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2011 |
| Autor(en): | Deuermeier, Jonas ; Gassmann, Jürgen ; Broetz, Joachim ; Klein, Andreas |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Reactive magnetron sputtering of Cu2O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 3 Juni 2011 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Applied Physics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 109 |
| (Heft-)Nummer: | 11 |
| DOI: | 10.1063/1.3592981 |
| Zugehörige Links: | |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | Thin films of copper oxides were prepared by reactive magnetron sputtering and structural, morphological, chemical, and electronic properties were analyzed using x-ray diffraction, atomic force microscopy, in situ photoelectron spectroscopy, and electrical resistance measurements. The deposition conditions for preparation of Cu(I)-oxide (Cu2O) are identified. In addition, the interface formation between Cu2O and Sn-doped In2O3 (ITO) was studied by stepwise deposition of Cu2O onto ITO and vice versa. A type II (staggered) band alignment with a valence band offset ΔEVB = 2.1–2.6 eV depending on interface preparation is observed. The band alignment explains the nonrectifying behavior of p-Cu2O/n-ITO junctions, which have been investigated for thin film solar cells. |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 D3 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Strukturforschung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden |
| Hinterlegungsdatum: | 17 Sep 2012 13:03 |
| Letzte Änderung: | 03 Jul 2024 02:20 |
| PPN: | |
| Export: | |
| Suche nach Titel in: | TUfind oder in Google |
Verfügbare Versionen dieses Eintrags
-
Reactive magnetron sputtering of Cu₂O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide. (deposited 17 Nov 2021 13:22)
- Reactive magnetron sputtering of Cu2O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide. (deposited 17 Sep 2012 13:03) [Gegenwärtig angezeigt]
 |
Frage zum Eintrag |
Optionen (nur für Redakteure)
 |
Redaktionelle Details anzeigen |
Drucken
Impressum