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Reactive magnetron sputtering of Cu₂O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide

Deuermeier, Jonas ; Gassmann, Jürgen ; Brötz, Joachim ; Klein, Andreas (2021)
Reactive magnetron sputtering of Cu₂O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide.
In: Journal of Applied Physics, 109 (11)
doi: 10.26083/tuprints-00019938
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

Kurzbeschreibung (Abstract)

Thin films of copper oxides were prepared by reactive magnetron sputtering and structural, morphological, chemical, and electronic properties were analyzed using x-ray diffraction, atomic force microscopy, in situ photoelectron spectroscopy, and electrical resistance measurements. The deposition conditions for preparation of Cu(I)-oxide (Cu₂O) are identified. In addition, the interface formation between Cu₂O and Sn-doped In2O3 (ITO) was studied by stepwise deposition of Cu₂O onto ITO and vice versa. A type II (staggered) band alignment with a valence band offset.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2021
Autor(en): Deuermeier, Jonas ; Gassmann, Jürgen ; Brötz, Joachim ; Klein, Andreas
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: Reactive magnetron sputtering of Cu₂O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2021
Verlag: AIP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Applied Physics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 109
(Heft-)Nummer: 11
Kollation: 7 Seiten
DOI: 10.26083/tuprints-00019938
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19938
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Herkunft: Zweitveröffentlichungsservice
Kurzbeschreibung (Abstract):

Thin films of copper oxides were prepared by reactive magnetron sputtering and structural, morphological, chemical, and electronic properties were analyzed using x-ray diffraction, atomic force microscopy, in situ photoelectron spectroscopy, and electrical resistance measurements. The deposition conditions for preparation of Cu(I)-oxide (Cu₂O) are identified. In addition, the interface formation between Cu₂O and Sn-doped In2O3 (ITO) was studied by stepwise deposition of Cu₂O onto ITO and vice versa. A type II (staggered) band alignment with a valence band offset.

Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-199383
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Strukturforschung
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio)
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden
Hinterlegungsdatum: 17 Nov 2021 13:22
Letzte Änderung: 18 Nov 2021 06:15
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