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Third and fourth harmonic generation at Si-SiO₂ interfaces and in Si-SiO2-Cr MOS structures

Kempf, Roland ; Wilson, P. T. ; Canterbury, J. D. ; Mishina, E. D. ; Aktsipetrov, O. A. (1999)
Third and fourth harmonic generation at Si-SiO₂ interfaces and in Si-SiO2-Cr MOS structures.
In: Applied Physics B, (68)
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1999
Autor(en): Kempf, Roland ; Wilson, P. T. ; Canterbury, J. D. ; Mishina, E. D. ; Aktsipetrov, O. A.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Third and fourth harmonic generation at Si-SiO₂ interfaces and in Si-SiO2-Cr MOS structures
Sprache: Deutsch
Publikationsjahr: 1999
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Applied Physics B
(Heft-)Nummer: 68
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Automatisierungstechnik und Mechatronik > Regelungsmethoden und Robotik (ab 01.08.2022 umbenannt in Regelungsmethoden und Intelligente Systeme)
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Automatisierungstechnik und Mechatronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 18 Aug 2010 14:30
Letzte Änderung: 05 Mär 2013 09:36
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