Klös, Alexander ; Kostka, (1995)
A fully 2D, analytical model for the geometry and voltage dependence of treshold voltage in submicron MOSFETs.
In: Simulation of semiconductor devices and processes. Vol. 6., Auflage: Berlin, Heidelberg (u.a.): Springer, 1995
Buchkapitel, Bibliographie
Typ des Eintrags: | Buchkapitel |
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Erschienen: | 1995 |
Autor(en): | Klös, Alexander ; Kostka, |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | A fully 2D, analytical model for the geometry and voltage dependence of treshold voltage in submicron MOSFETs |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 1995 |
Ort: | Berlin, Heidelberg (u.a.) |
Verlag: | Springer |
Buchtitel: | Simulation of semiconductor devices and processes. Vol. 6. |
Auflage: | Berlin, Heidelberg (u.a.): Springer, 1995 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik |
Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 15:58 |
Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 08:33 |
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