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Electron diffusion length in InGaAs:Zn derived from heterostructure bipolar transistors

Kuphal, E. ; Mause, K. ; Miethe, K. ; Eisenbach, A. ; Fiedler, F. ; Corbet, A. (1995)
Electron diffusion length in InGaAs:Zn derived from heterostructure bipolar transistors.
In: Solid state electronics, 38 (4)
doi: 10.1016/0038-1101(94)00182-F
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1995
Autor(en): Kuphal, E. ; Mause, K. ; Miethe, K. ; Eisenbach, A. ; Fiedler, F. ; Corbet, A.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Electron diffusion length in InGaAs:Zn derived from heterostructure bipolar transistors
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1995
Verlag: Elsevier
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Solid state electronics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 38
(Heft-)Nummer: 4
DOI: 10.1016/0038-1101(94)00182-F
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:58
Letzte Änderung: 03 Dez 2021 12:44
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