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Scaling Down Gate Dielectrics: From Ultra-Thin SiO2 to Crystalline High-K

Schwalke, Udo :
Scaling Down Gate Dielectrics: From Ultra-Thin SiO2 to Crystalline High-K.
In: Proceedings of the 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors (SAFE)
[Artikel], (2006)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2006
Autor(en): Schwalke, Udo
Titel: Scaling Down Gate Dielectrics: From Ultra-Thin SiO2 to Crystalline High-K
Sprache: Deutsch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Proceedings of the 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors (SAFE)
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Veranstaltungstitel: 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors (SAFE)
Veranstaltungsort: Veldhoven, Niederlande
Veranstaltungsdatum: 23.-24.11.2006
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:26
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