Schwalke, Udo (2006)
Scaling Down Gate Dielectrics: From Ultra-Thin SiO2 to Crystalline High-K.
In: Proceedings of the 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors (SAFE)
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2006 |
| Autor(en): | Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Scaling Down Gate Dielectrics: From Ultra-Thin SiO2 to Crystalline High-K |
| Sprache: | Deutsch |
| Publikationsjahr: | 24 November 2006 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of the 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors (SAFE) |
| Zusätzliche Informationen: | 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors (SAFE), Veldhoven, Niederlande, 23.-24.11.2006 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:26 |
| Letzte Änderung: | 08 Mai 2024 08:50 |
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