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Hydrogen storage in Ti, V and their oxides-based thin films

Tarnawski, Z. ; Zakrzewska, K. ; Kim-Ngan, N.-T. H. ; Krupska, M. ; Sowa, S. ; Drogowska, K. ; Havela, L. ; Balogh, A. G. (2024)
Hydrogen storage in Ti, V and their oxides-based thin films.
In: Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology, 2014, 6 (1)
doi: 10.26083/tuprints-00020373
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

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Kurzbeschreibung (Abstract)

We have investigated the hydrogen storage ability and the effect of hydrogenation on structure and physical properties of Ti/V and their oxides-based thin films. A series of Ti–TiO₂ and VOx–TiO₂ thin films with different layer structures, geometries and thicknesses have been prepared by the sputtering technique on different (Si(111), SiO₂, C) substrates. For the Ti–TiO₂–Ti films up to 50 at.% of hydrogen can be stored in the Ti layers, while the hydrogen can penetrate without accumulation through the TiO₂ layer. A large hydrogen storage was also found in some V₂O₅–TiO₂ films. Hydrogen could also remove the preferential orientation in the Ti films and induce a transition of V₂O₅ to VO₂ in the films.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2024
Autor(en): Tarnawski, Z. ; Zakrzewska, K. ; Kim-Ngan, N.-T. H. ; Krupska, M. ; Sowa, S. ; Drogowska, K. ; Havela, L. ; Balogh, A. G.
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: Hydrogen storage in Ti, V and their oxides-based thin films
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 19 März 2024
Ort: Darmstadt
Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: 2014
Ort der Erstveröffentlichung: Bristol
Verlag: IOP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 6
(Heft-)Nummer: 1
Kollation: 8 Seiten
DOI: 10.26083/tuprints-00020373
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/20373
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Herkunft: Zweitveröffentlichung DeepGreen
Kurzbeschreibung (Abstract):

We have investigated the hydrogen storage ability and the effect of hydrogenation on structure and physical properties of Ti/V and their oxides-based thin films. A series of Ti–TiO₂ and VOx–TiO₂ thin films with different layer structures, geometries and thicknesses have been prepared by the sputtering technique on different (Si(111), SiO₂, C) substrates. For the Ti–TiO₂–Ti films up to 50 at.% of hydrogen can be stored in the Ti layers, while the hydrogen can penetrate without accumulation through the TiO₂ layer. A large hydrogen storage was also found in some V₂O₅–TiO₂ films. Hydrogen could also remove the preferential orientation in the Ti films and induce a transition of V₂O₅ to VO₂ in the films.

Freie Schlagworte: titan oxides, vanadium oxides, multilayers, crystal structure, hydrogen storage
Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-203734
Zusätzliche Informationen:

Invited talk at the 7th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology IWAMSN2014, 2-6 November, 2014, Ha Long, Vietnam.

Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialanalytik
Hinterlegungsdatum: 19 Mär 2024 10:10
Letzte Änderung: 20 Mär 2024 09:38
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