Tarnawski, Z. ; Zakrzewska, K. ; Kim-Ngan, N.-T. H. ; Krupska, M. ; Sowa, S. ; Drogowska, K. ; Havela, L. ; Balogh, A. G. (2024)
Hydrogen storage in Ti, V and their oxides-based thin films.
In: Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology, 2014, 6 (1)
doi: 10.26083/tuprints-00020373
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
We have investigated the hydrogen storage ability and the effect of hydrogenation on structure and physical properties of Ti/V and their oxides-based thin films. A series of Ti–TiO₂ and VOx–TiO₂ thin films with different layer structures, geometries and thicknesses have been prepared by the sputtering technique on different (Si(111), SiO₂, C) substrates. For the Ti–TiO₂–Ti films up to 50 at.% of hydrogen can be stored in the Ti layers, while the hydrogen can penetrate without accumulation through the TiO₂ layer. A large hydrogen storage was also found in some V₂O₅–TiO₂ films. Hydrogen could also remove the preferential orientation in the Ti films and induce a transition of V₂O₅ to VO₂ in the films.
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2024 |
Autor(en): | Tarnawski, Z. ; Zakrzewska, K. ; Kim-Ngan, N.-T. H. ; Krupska, M. ; Sowa, S. ; Drogowska, K. ; Havela, L. ; Balogh, A. G. |
Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
Titel: | Hydrogen storage in Ti, V and their oxides-based thin films |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 19 März 2024 |
Ort: | Darmstadt |
Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2014 |
Ort der Erstveröffentlichung: | Bristol |
Verlag: | IOP Publishing |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 6 |
(Heft-)Nummer: | 1 |
Kollation: | 8 Seiten |
DOI: | 10.26083/tuprints-00020373 |
URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/20373 |
Zugehörige Links: | |
Herkunft: | Zweitveröffentlichung DeepGreen |
Kurzbeschreibung (Abstract): | We have investigated the hydrogen storage ability and the effect of hydrogenation on structure and physical properties of Ti/V and their oxides-based thin films. A series of Ti–TiO₂ and VOx–TiO₂ thin films with different layer structures, geometries and thicknesses have been prepared by the sputtering technique on different (Si(111), SiO₂, C) substrates. For the Ti–TiO₂–Ti films up to 50 at.% of hydrogen can be stored in the Ti layers, while the hydrogen can penetrate without accumulation through the TiO₂ layer. A large hydrogen storage was also found in some V₂O₅–TiO₂ films. Hydrogen could also remove the preferential orientation in the Ti films and induce a transition of V₂O₅ to VO₂ in the films. |
Freie Schlagworte: | titan oxides, vanadium oxides, multilayers, crystal structure, hydrogen storage |
Status: | Verlagsversion |
URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-203734 |
Zusätzliche Informationen: | Invited talk at the 7th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology IWAMSN2014, 2-6 November, 2014, Ha Long, Vietnam. |
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialanalytik |
Hinterlegungsdatum: | 19 Mär 2024 10:10 |
Letzte Änderung: | 20 Mär 2024 09:38 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- Hydrogen storage in Ti, V and their oxides-based thin films. (deposited 19 Mär 2024 10:10) [Gegenwärtig angezeigt]
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