Buschmann, Véronique ; Rodewald, M. ; Fuess, H. ; van Tendeloo, G. ; Schäffer, C. (1998)
Hetero-epitaxial growth of CoSi2 thin films on Si(100): template effects and epitaxial orientations.
In: Journal of crystal growth. 191 (1998), S. 430-438
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 1998 |
| Autor(en): | Buschmann, Véronique ; Rodewald, M. ; Fuess, H. ; van Tendeloo, G. ; Schäffer, C. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Hetero-epitaxial growth of CoSi2 thin films on Si(100): template effects and epitaxial orientations |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 1998 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of crystal growth. 191 (1998), S. 430-438 |
| Zusätzliche Informationen: | Zeichendarst. im Sachtitel teilw. nicht vorlagegemäß wiedergegeben |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Fachbereich Materialwissenschaft (1999 aufgegangen in 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften) |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 16:23 |
| Letzte Änderung: | 02 Mär 2022 14:22 |
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