Lang, O. ; Pettenkofer, C. ; Sánchez-Royo, Juan Francisco ; Segura, Alfredo ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram (2021)
Thin film growth and band lineup of In₂O₃ on the layered semiconductor InSe.
In: Journal of Applied Physics, 1999, 86 (10)
doi: 10.26083/tuprints-00019939
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
Thin films of the transparent conducting oxide In₂O₃ have been prepared in ultrahigh vacuum by reactive evaporation of indium. X-ray diffraction, optical, and electrical measurements were used to characterize properties of films deposited on transparent insulating mica substrates under variation of the oxygen pressure. Photoelectron spectroscopy was used to investigate in situ the interface formation between In₂O₃ and the layered semiconductor InSe.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Lang, O. ; Pettenkofer, C. ; Sánchez-Royo, Juan Francisco ; Segura, Alfredo ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Thin film growth and band lineup of In₂O₃ on the layered semiconductor InSe |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 1999 |
| Verlag: | AIP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Applied Physics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 86 |
| (Heft-)Nummer: | 10 |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019939 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19939 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | Thin films of the transparent conducting oxide In₂O₃ have been prepared in ultrahigh vacuum by reactive evaporation of indium. X-ray diffraction, optical, and electrical measurements were used to characterize properties of films deposited on transparent insulating mica substrates under variation of the oxygen pressure. Photoelectron spectroscopy was used to investigate in situ the interface formation between In₂O₃ and the layered semiconductor InSe. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-199393 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
| Hinterlegungsdatum: | 17 Nov 2021 13:27 |
| Letzte Änderung: | 18 Nov 2021 06:17 |
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- Thin film growth and band lineup of In₂O₃ on the layered semiconductor InSe. (deposited 17 Nov 2021 13:27) [Gegenwärtig angezeigt]
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