Liu, Guangming ; Schulmeyer, T. ; Thissen, A. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram (2021)
In situ preparation and interface characterization of TiO₂/Cu₂S heterointerface.
In: Applied Physics Letters, 2003, 82 (14)
doi: 10.26083/tuprints-00019856
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
The electronic structures and interface properties of the TiO₂/Cu₂S interface have been in situ studied after each growth step by x-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopy. The p-doped Cu₂S films (BEVBM=0.1 eV) were grown on the highly n-doped chemical vapor deposition prepared TiO₂ (BEVBM=3.4 eV) films by thermal evaporation in a multistep growth procedure. The conduction band offset (0.7 eV), valence band offset (2.9 eV) and interface dipole (0.5 eV) were determined based on the quantitative examination of band bending occurring in the Cu2S films at higher coverage, leading to a staggered energy level configuration.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Liu, Guangming ; Schulmeyer, T. ; Thissen, A. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | In situ preparation and interface characterization of TiO₂/Cu₂S heterointerface |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2003 |
| Verlag: | AIP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 82 |
| (Heft-)Nummer: | 14 |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019856 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19856 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | The electronic structures and interface properties of the TiO₂/Cu₂S interface have been in situ studied after each growth step by x-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopy. The p-doped Cu₂S films (BEVBM=0.1 eV) were grown on the highly n-doped chemical vapor deposition prepared TiO₂ (BEVBM=3.4 eV) films by thermal evaporation in a multistep growth procedure. The conduction band offset (0.7 eV), valence band offset (2.9 eV) and interface dipole (0.5 eV) were determined based on the quantitative examination of band bending occurring in the Cu2S films at higher coverage, leading to a staggered energy level configuration. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-198567 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
| Hinterlegungsdatum: | 11 Nov 2021 13:25 |
| Letzte Änderung: | 12 Nov 2021 07:51 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- In situ preparation and interface characterization of TiO₂/Cu₂S heterointerface. (deposited 11 Nov 2021 13:25) [Gegenwärtig angezeigt]
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