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Measurement and modelling of sensitivity and noise of MOS magnetic field effect transistors

Killat, Dirk ; Kluge, Johannes von ; Umbach, Frank ; Langheinrich, Werner ; Schmitz, Richard (1997)
Measurement and modelling of sensitivity and noise of MOS magnetic field effect transistors.
In: Sensors and Actuators A : Physical, 61 (1-3)
doi: 10.1016/S0924-4247(97)80286-5
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

The characteristics of magnetic field-sensitive split-drain MOSFETs (MAGFETs) have been experimentally measured. The sensitivity depends on the geometry and the operating point of the MAGFET. Particular attention is paid to the lateral parasitic conductance between the split drains. The equivalent spectral noise density of the magnetic flux density is measured. Additionally, a macro-model of the MAGFET has been developed for SPICE.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1997
Autor(en): Killat, Dirk ; Kluge, Johannes von ; Umbach, Frank ; Langheinrich, Werner ; Schmitz, Richard
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Measurement and modelling of sensitivity and noise of MOS magnetic field effect transistors
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1 Juni 1997
Verlag: Elsevier
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Sensors and Actuators A : Physical
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 61
(Heft-)Nummer: 1-3
DOI: 10.1016/S0924-4247(97)80286-5
Kurzbeschreibung (Abstract):

The characteristics of magnetic field-sensitive split-drain MOSFETs (MAGFETs) have been experimentally measured. The sensitivity depends on the geometry and the operating point of the MAGFET. Particular attention is paid to the lateral parasitic conductance between the split drains. The equivalent spectral noise density of the magnetic flux density is measured. Additionally, a macro-model of the MAGFET has been developed for SPICE.

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:55
Letzte Änderung: 20 Jul 2023 11:21
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