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Silicon CMOS Compatible In-situ CCVD Growth of Graphene on Silicon Nitride

Noll, Dennis ; Schwalke, Udo (2015)
Silicon CMOS Compatible In-situ CCVD Growth of Graphene on Silicon Nitride.
10th International Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS). Naples, Italy (21.04.2015-23.04.2015)
doi: 10.1109/DTIS.2015.7127387
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2015
Autor(en): Noll, Dennis ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Silicon CMOS Compatible In-situ CCVD Growth of Graphene on Silicon Nitride
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: April 2015
Ort: Naples, Italy
Veranstaltungstitel: 10th International Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS)
Veranstaltungsort: Naples, Italy
Veranstaltungsdatum: 21.04.2015-23.04.2015
DOI: 10.1109/DTIS.2015.7127387
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 30 Jul 2019 09:33
Letzte Änderung: 30 Jul 2019 09:33
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