2011

Schlögl, Robert ; Hess, Christian
Hrsg.: Hess, Christian ; Schlögl, R. (2011)
Characteristics of selective oxidation reactions.
In: Nanostructured Catalysts: Selective Oxidations
doi: 10.1039/9781847559876-00355
Buchkapitel, Bibliographie

Hess, Christian
Hrsg.: Hess, Christian ; Schlögl, R. (2011)
Highly dispersed vanadium oxide catalysts.
In: Nanostructured Catalysts: Selective Oxidation
doi: 10.1039/9781847559876-00299
Buchkapitel, Bibliographie

Hess, Christian
Hrsg.: Hess, Christian ; Schlögl, R. (2011)
Surface science models with chemical complexity.
In: Nanostructured Catalysts: Selective Oxidation
doi: 10.1039/9781847559876-00326
Buchkapitel, Bibliographie

2006

Gassenbauer, Y. ; Schafranek, R. ; Klein, Andreas ; Zafeiratos, S. ; Hävecker, M. ; Knop-Gericke, A. ; Schlögl, R. (2006)
Surface potential changes of semiconducting oxides monitored by high-pressure photoelectron spectroscopy: Importance of electron concentration at the surface.
In: Solid State Ionics, 177 (35-36)
doi: 10.1016/j.ssi.2006.07.036
Artikel, Bibliographie

Gassenbauer, Y. ; Schafranek, R. ; Klein, Andreas ; Zafeiratos, S. ; Hävecker, M. ; Knop-Gericke, A. ; Schlögl, R. (2006)
Surface states, surface potentials, and segregation at surfaces of tin-doped In2O3.
In: Physical Review B, 73 (24)
doi: 10.1103/PhysRevB.73.245312
Artikel, Bibliographie

Herbert, R. ; Wild, U. ; Hess, C. ; Schlögl, R. (2006)
Nanostrukturierte Vanadiumoxid-Modell-Katalysatoren auf Basis von mesoporösem SBA-15.
GVC/DECHEMA-Jahrestagung. Wiesbaden (26. - 28.09.2006)
doi: 10.1002/cite.200650050
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

2000

Atamny, F. ; Fässler, Thomas Friedrich ; Baiker, A. ; Schlögl, R. (2000)
On the imaging mechanism of monatomic steps in graphite.
In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, 71 (4)
doi: 10.1007/s003390000570
Artikel, Bibliographie

1995

Baenitz, M. ; Heinze, M. ; Lüders, K. ; Werner, H. ; Schlögl, R. ; Weiden, M. ; Sparn, G. ; Steglich, Frank (1995)
Superconductivity of Ba doped C60-susceptibility results and upper critical field.
In: Solid State Communications, 86 (8)
doi: 10.1016/0038-1098(95)00498-X
Artikel, Bibliographie