Miranda, E. ; Piros, E. ; Aguirre, F. L. ; Kim, T. ; Schreyer, P. ; Gehrunger, J. ; Oster, T. ; Hofmann, K. ; Suñé, J. ; Hochberger, C. ; Alff, L. (2023)
Simulation of bipolar-type resistive switching devices using a recursive approach to the dynamic memdiode model.
In: IEEE Electron Device Letters, 44 (9)
doi: 10.1109/LED.2023.3298023
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2023 |
| Autor(en): | Miranda, E. ; Piros, E. ; Aguirre, F. L. ; Kim, T. ; Schreyer, P. ; Gehrunger, J. ; Oster, T. ; Hofmann, K. ; Suñé, J. ; Hochberger, C. ; Alff, L. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Simulation of bipolar-type resistive switching devices using a recursive approach to the dynamic memdiode model |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 24 Juli 2023 |
| Ort: | New York, NY |
| Verlag: | IEEE |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | IEEE Electron Device Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 44 |
| (Heft-)Nummer: | 9 |
| DOI: | 10.1109/LED.2023.3298023 |
| Freie Schlagworte: | mathematical models, voltage, switches, differential equations, integrated circuit modeling, resistance, numerical models, memristor, resistive switching, ReRAM, OxRAM |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Dünne Schichten 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Datentechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Datentechnik > Rechnersysteme |
| Hinterlegungsdatum: | 13 Mär 2024 06:44 |
| Letzte Änderung: | 14 Mär 2024 07:26 |
| PPN: | 516286935 |
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