Gottwald, P. ; Kräutle, H. ; Szentpali, B. ; Kincses, Zs. ; Hartnagel, H. L. (1997)
Damage characterization of InP after reactive ion etching using the low-frequency noise measurement technique.
In: Solid state electronics, 41 (4)
doi: 10.1016/S0038-1101(96)00224-9
Artikel, Bibliographie
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 1997 |
Autor(en): | Gottwald, P. ; Kräutle, H. ; Szentpali, B. ; Kincses, Zs. ; Hartnagel, H. L. |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Damage characterization of InP after reactive ion etching using the low-frequency noise measurement technique |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 1997 |
Ort: | Amsterdam |
Verlag: | Elsevier |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Solid state electronics |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 41 |
(Heft-)Nummer: | 4 |
DOI: | 10.1016/S0038-1101(96)00224-9 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik |
Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 16:04 |
Letzte Änderung: | 09 Jan 2025 11:19 |
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