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Effect of Si-Doping of the GaN Barrier on the Internal Quantum Efficiency of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes.

Sirkeli, V. P. ; Yilmazoglu, O. ; Al-Daffaie, S. ; Oprea, I. ; Ong, D. S. ; Kueppers, F. ; Hartnagel, H. L. :
Effect of Si-Doping of the GaN Barrier on the Internal Quantum Efficiency of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes.
In: 8th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics / MSCMP-2016, September 2016, Chisinau, Moldova.
[ Konferenzveröffentlichung] , (2016)

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2016
Autor(en): Sirkeli, V. P. ; Yilmazoglu, O. ; Al-Daffaie, S. ; Oprea, I. ; Ong, D. S. ; Kueppers, F. ; Hartnagel, H. L.
Titel: Effect of Si-Doping of the GaN Barrier on the Internal Quantum Efficiency of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes.
Sprache: Englisch
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Höchstfrequenzelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik > Photonik und Optische Nachrichtentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Veranstaltungstitel: 8th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics / MSCMP-2016
Veranstaltungsort: Chisinau, Moldova
Veranstaltungsdatum: September 2016
Hinterlegungsdatum: 28 Mär 2017 12:29
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