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Effect of Si-Doping of the GaN Barrier on the Internal Quantum Efficiency of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes.

Sirkeli, V. P. ; Yilmazoglu, O. ; Al-Daffaie, S. ; Oprea, I. ; Ong, D. S. ; Kueppers, F. ; Hartnagel, H. L. (2016)
Effect of Si-Doping of the GaN Barrier on the Internal Quantum Efficiency of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes.
8th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics / MSCMP-2016. Chisinau, Moldova (12.09.2016-16.09.2016)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2016
Autor(en): Sirkeli, V. P. ; Yilmazoglu, O. ; Al-Daffaie, S. ; Oprea, I. ; Ong, D. S. ; Kueppers, F. ; Hartnagel, H. L.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Effect of Si-Doping of the GaN Barrier on the Internal Quantum Efficiency of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes.
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 28 September 2016
Ort: Chisinau, Moldova
Veranstaltungstitel: 8th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics / MSCMP-2016
Veranstaltungsort: Chisinau, Moldova
Veranstaltungsdatum: 12.09.2016-16.09.2016
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Höchstfrequenzelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Photonik und Optische Nachrichtentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
Hinterlegungsdatum: 28 Mär 2017 12:29
Letzte Änderung: 02 Jul 2024 07:17
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