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High-speed complex-coupled strain-compensated AlGaInAs/InP 1.5µm DFB laser diodes

Steinhagen, F. ; Hillmer, H. ; Lösch, R. ; Schlapp, W. ; Göbel, R. ; Kuphal, E. ; Hartnagel, H. L. ; Burkhard, H. (1996)
High-speed complex-coupled strain-compensated AlGaInAs/InP 1.5µm DFB laser diodes.
8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. Schwäbisch Gmünd, Germany (21.04.1996-25.04.1996)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

The technology and characterization of high-speed partly loss-coupled distributed feedback (DFB) 1.55 /spl mu/m laser diodes realized on a strain-compensated AlGaInAs/InP MBE/MOVPE grown epitaxial structure is presented. We observe low thresholds, SMSRs of 50 dB, very high -3 dB intensity modulation (IM) bandwidths up to 23 GHz and good large signal behaviour.

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 1996
Autor(en): Steinhagen, F. ; Hillmer, H. ; Lösch, R. ; Schlapp, W. ; Göbel, R. ; Kuphal, E. ; Hartnagel, H. L. ; Burkhard, H.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: High-speed complex-coupled strain-compensated AlGaInAs/InP 1.5µm DFB laser diodes
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 26 April 1996
Verlag: IEEE
Buchtitel: Proceedings of 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
Veranstaltungstitel: 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
Veranstaltungsort: Schwäbisch Gmünd, Germany
Veranstaltungsdatum: 21.04.1996-25.04.1996
Kurzbeschreibung (Abstract):

The technology and characterization of high-speed partly loss-coupled distributed feedback (DFB) 1.55 /spl mu/m laser diodes realized on a strain-compensated AlGaInAs/InP MBE/MOVPE grown epitaxial structure is presented. We observe low thresholds, SMSRs of 50 dB, very high -3 dB intensity modulation (IM) bandwidths up to 23 GHz and good large signal behaviour.

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:04
Letzte Änderung: 17 Jan 2023 15:32
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