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C+-energy-dependent residual ion damage in GaAs: C grown by the low-energy ion-beam doping method

Iida, Tsutomu ; Makita, Yunosuke ; Shima, Takayuki ; Kimura, Shinji ; Horn, Joachim ; Hartnagel, Hans L. ; Uekusa, Shin‐ichiro (1996)
C+-energy-dependent residual ion damage in GaAs: C grown by the low-energy ion-beam doping method.
In: Journal of Applied Physics, 80 (7)
doi: 10.1063/1.363306
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1996
Autor(en): Iida, Tsutomu ; Makita, Yunosuke ; Shima, Takayuki ; Kimura, Shinji ; Horn, Joachim ; Hartnagel, Hans L. ; Uekusa, Shin‐ichiro
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: C+-energy-dependent residual ion damage in GaAs: C grown by the low-energy ion-beam doping method
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1996
Verlag: AIP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Applied Physics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 80
(Heft-)Nummer: 7
DOI: 10.1063/1.363306
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:04
Letzte Änderung: 13 Dez 2023 14:23
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