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Comparison of MESFET, HEMT, and HBT device performance at high temperatures

Fricke, K. ; Krozer, V. ; Schüßler, M. (1996)
Comparison of MESFET, HEMT, and HBT device performance at high temperatures.
3rd International High Temperature Electronics Conference. Albuquerque, NM, USA (09.06.1996-14.06.1996)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 1996
Autor(en): Fricke, K. ; Krozer, V. ; Schüßler, M.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Comparison of MESFET, HEMT, and HBT device performance at high temperatures
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1996
Ort: Albuquerque, NM, USA
Buchtitel: Proceedings of the 3rd International High Temperature Electronics Conference, Albuquerque, USA, June 9-14, 1996
Veranstaltungstitel: 3rd International High Temperature Electronics Conference
Veranstaltungsort: Albuquerque, NM, USA
Veranstaltungsdatum: 09.06.1996-14.06.1996
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:04
Letzte Änderung: 19 Mär 2024 11:59
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