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Electronic properties of intimate Mo and CdS junctions in-situ formed on CuInSe2(011) cleavage planes

Loher, T. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, W. (1994)
Electronic properties of intimate Mo and CdS junctions in-situ formed on CuInSe2(011) cleavage planes.
doi: 10.1109/WCPEC.1994.519866
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 1994
Autor(en): Loher, T. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, W.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Electronic properties of intimate Mo and CdS junctions in-situ formed on CuInSe2(011) cleavage planes
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1994
Buchtitel: Proceedings of 1994 IEEE 1st World Conference on Photovoltaic Energy Conversion - WCPEC (A Joint Conference of PVSC, PVSEC and PSEC)
Band einer Reihe: 1
DOI: 10.1109/WCPEC.1994.519866
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 27 Apr 2015 07:47
Letzte Änderung: 27 Apr 2015 07:47
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