Deuermeier, Jonas ; Gassmann, Jürgen ; Broetz, Joachim ; Klein, Andreas (2011)
Reactive magnetron sputtering of Cu2O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide.
In: Journal of Applied Physics, 109 (11)
doi: 10.1063/1.3592981
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
Thin films of copper oxides were prepared by reactive magnetron sputtering and structural, morphological, chemical, and electronic properties were analyzed using x-ray diffraction, atomic force microscopy, in situ photoelectron spectroscopy, and electrical resistance measurements. The deposition conditions for preparation of Cu(I)-oxide (Cu2O) are identified. In addition, the interface formation between Cu2O and Sn-doped In2O3 (ITO) was studied by stepwise deposition of Cu2O onto ITO and vice versa. A type II (staggered) band alignment with a valence band offset ΔEVB = 2.1–2.6 eV depending on interface preparation is observed. The band alignment explains the nonrectifying behavior of p-Cu2O/n-ITO junctions, which have been investigated for thin film solar cells.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2011 |
| Autor(en): | Deuermeier, Jonas ; Gassmann, Jürgen ; Broetz, Joachim ; Klein, Andreas |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Reactive magnetron sputtering of Cu2O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 3 Juni 2011 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Applied Physics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 109 |
| (Heft-)Nummer: | 11 |
| DOI: | 10.1063/1.3592981 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | Thin films of copper oxides were prepared by reactive magnetron sputtering and structural, morphological, chemical, and electronic properties were analyzed using x-ray diffraction, atomic force microscopy, in situ photoelectron spectroscopy, and electrical resistance measurements. The deposition conditions for preparation of Cu(I)-oxide (Cu2O) are identified. In addition, the interface formation between Cu2O and Sn-doped In2O3 (ITO) was studied by stepwise deposition of Cu2O onto ITO and vice versa. A type II (staggered) band alignment with a valence band offset ΔEVB = 2.1–2.6 eV depending on interface preparation is observed. The band alignment explains the nonrectifying behavior of p-Cu2O/n-ITO junctions, which have been investigated for thin film solar cells. |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 D3 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Strukturforschung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden |
| Hinterlegungsdatum: | 17 Sep 2012 13:03 |
| Letzte Änderung: | 19 Dez 2017 10:30 |
| PPN: | |
| Export: | |
| Suche nach Titel in: | TUfind oder in Google |
 |
Frage zum Eintrag |
Optionen (nur für Redakteure)
 |
Redaktionelle Details anzeigen |
Drucken
Impressum