Hildebrandt, Erwin ; Kurian, Jose ; Müller, Mathis M. ; Schroeder, Thomas ; Kleebe, Hans-Joachim ; Alff, Lambert (2011)
Controlled oxygen vacancy induced p-type conductivity in HfO2−x thin films.
In: Applied Physics Letters, 99 (11)
doi: 10.1063/1.3637603
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
We have synthesized highly oxygen deficient HfO2−x thin films by controlled oxygen engineering using reactive molecular beam epitaxy. Above a threshold value of oxygen vacancies, p-type conductivity sets in with up to 6 times 1021 charge carriers per cm3. At the same time, the band-gap is reduced continuously by more than 1 eV. We suggest an oxygen vacancy induced p-type defect band as origin of the observed behavior.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2011 |
| Autor(en): | Hildebrandt, Erwin ; Kurian, Jose ; Müller, Mathis M. ; Schroeder, Thomas ; Kleebe, Hans-Joachim ; Alff, Lambert |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Controlled oxygen vacancy induced p-type conductivity in HfO2−x thin films |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 12 September 2011 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 99 |
| (Heft-)Nummer: | 11 |
| DOI: | 10.1063/1.3637603 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | We have synthesized highly oxygen deficient HfO2−x thin films by controlled oxygen engineering using reactive molecular beam epitaxy. Above a threshold value of oxygen vacancies, p-type conductivity sets in with up to 6 times 1021 charge carriers per cm3. At the same time, the band-gap is reduced continuously by more than 1 eV. We suggest an oxygen vacancy induced p-type defect band as origin of the observed behavior. |
| Freie Schlagworte: | Conduction bands, defect states, electrical conductivity, energy gap, epitaxial layers, hafnium compounds, insulating thin films, molecular beam epitaxial growth, vacancies (crystal) |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Geowissenschaften > Fachgebiet Geomaterialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Dünne Schichten |
| Hinterlegungsdatum: | 30 Mär 2012 10:48 |
| Letzte Änderung: | 13 Aug 2021 09:50 |
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