Nord, J. ; Albe, K. ; Erhart, P. ; Nordlund, K. (2003)
Modelling of compound semiconductors: analytical bond-order potential for gallium, nitrogen and gallium nitride.
In: J. Phys.: Condens. Matter., 15 (32)
doi: 10.1088/0953-8984/15/32/324
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
An analytical bond-order potential for GaN is presented that describes a wide range of structural properties of GaN as well as bonding and structure of the pure constituents. For the systematic fit of the potential parameters reference data are taken from total-energy calculations within the density functional theory if not available from experiments. Although long-range interactions are not explicitly included in the potential, the present model provides a good fit to different structural geometries including defects and high-pressure phases of GaN.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2003 |
| Autor(en): | Nord, J. ; Albe, K. ; Erhart, P. ; Nordlund, K. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Modelling of compound semiconductors: analytical bond-order potential for gallium, nitrogen and gallium nitride |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 20 August 2003 |
| Verlag: | IOP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | J. Phys.: Condens. Matter. |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 15 |
| (Heft-)Nummer: | 32 |
| DOI: | 10.1088/0953-8984/15/32/324 |
| URL / URN: | http://iopscience.iop.org/0953-8984/15/32/324/ |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | An analytical bond-order potential for GaN is presented that describes a wide range of structural properties of GaN as well as bonding and structure of the pure constituents. For the systematic fit of the potential parameters reference data are taken from total-energy calculations within the density functional theory if not available from experiments. Although long-range interactions are not explicitly included in the potential, the present model provides a good fit to different structural geometries including defects and high-pressure phases of GaN. |
| Freie Schlagworte: | electrical, magnetic and optical, Semiconductors |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 C2 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialmodellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C2: Atomistische Computersimulationen von Defekten und deren Bewegung in Metalloxiden 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) |
| Hinterlegungsdatum: | 28 Feb 2012 14:06 |
| Letzte Änderung: | 25 Apr 2016 08:35 |
| PPN: | |
| Sponsoren: | The research was supported by the Academy of Finland under projects No 46788 and No 51585., This joint studywasmade possible by the support of theAcademy of Finland and theGerman foreign exchange server (DAAD) through a bilateral travel programme. |
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