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Model for the Decrease in HBT Collector Current under DC Stress based on Recombination Enhanced Defect Reactions

Schuessler, M. ; Mottet, B. ; Sydlo, C. ; Krozer, V. ; Hartnagel, H. L. ; Jakoby, Rolf (2000)
Model for the Decrease in HBT Collector Current under DC Stress based on Recombination Enhanced Defect Reactions.
11th ESREF-Symposium.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2000
Autor(en): Schuessler, M. ; Mottet, B. ; Sydlo, C. ; Krozer, V. ; Hartnagel, H. L. ; Jakoby, Rolf
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Model for the Decrease in HBT Collector Current under DC Stress based on Recombination Enhanced Defect Reactions
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: Oktober 2000
Ort: Dresden, Germany
Veranstaltungstitel: 11th ESREF-Symposium
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
Hinterlegungsdatum: 27 Jan 2012 15:18
Letzte Änderung: 11 Dez 2019 07:29
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