Schäffer, C. (1996)
Growth of epitaxial CoSi2 films on strained Si1-xGex/Si(001) heterostructures.
In: Journal of crystal growth. 165 (1996), S. 61-69
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 1996 |
| Autor(en): | Schäffer, C. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Growth of epitaxial CoSi2 films on strained Si1-xGex/Si(001) heterostructures |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 1996 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of crystal growth. 165 (1996), S. 61-69 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Fachbereich Materialwissenschaft (1999 aufgegangen in 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften) |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 16:00 |
| Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:31 |
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