Jeutter, N. M. ; Hennemeyer, M. ; Stark, R. ; Stierle, A. ; Moritz, W. (2006)
Growth of epitaxial Pr2O3 layers on Si(1 1 1).
In: Materials Science in Semiconductor Processing, 9 (6)
doi: 10.1016/j.mssp.2006.10.045
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2006 |
| Autor(en): | Jeutter, N. M. ; Hennemeyer, M. ; Stark, R. ; Stierle, A. ; Moritz, W. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Growth of epitaxial Pr2O3 layers on Si(1 1 1) |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2006 |
| Verlag: | Elsevier |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Materials Science in Semiconductor Processing |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 9 |
| (Heft-)Nummer: | 6 |
| DOI: | 10.1016/j.mssp.2006.10.045 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | Zentrale Einrichtungen ?? fb99_csi~fg5 ?? |
| Hinterlegungsdatum: | 08 Jun 2010 08:06 |
| Letzte Änderung: | 23 Apr 2020 14:32 |
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