Mottet, Bastian (2005)
Zuverlässigkeitsstudien an Höchstfrequenzbauelementen mit gepulsten Techniken (TLP-Methode).
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Erstveröffentlichung
Kurzbeschreibung (Abstract)
Diese Arbeit beschreibt die gezielte Anregung zuverlässigkeitsrelevanter Degradations- und Defektmechanismen bei III/V Höchstfrequenzbauelementen (InGaP/GaAs Heterostruktur Bipolartransistor, Pt/GaAs THz-Schottkydiode) unter Verwendung elektrischer Pulse (bekannt als Transmission Line Pulse, TLP-Methode). Desweiteren wird die Einführung von Prozesskontrollschritten und eines erweiterten Prozesskontroll-Systems im Fabrikationsprozess von Terahertz (THz)-Schottkydioden sowie die Auswirkungen auf die Bauteilzuverlässigkeit erläutert. Anhand planarer Schottkydioden wird die Bedeutung der Verknüpfung von Technologie-Entwicklung, Hochfrequenz-Design und Zuverlässigkeits-Tests erörtert. Als wichtigste Ergebnisse werden die Demonstration der Vergleichbarkeit der Ergebnisse der TLP-Methode mit Arrhenius-beschleunigten Zuverlässigkeitsmethoden sowie ihre Anwendbarkeit im Fabrikationsprozess planarer THz-Schottkydioden vorgestellt. Im Vergleich zu Arrhenius-beschleunigten Testmethoden verwendet die hier vorgestellte Methodik elektrische Rechteckpulse zur Beschleunigung der Ausfallmechanismen. Durch eine dem zu stressenden Bauteil mit individueller thermischer Zeitkonstante angepasste Wahl der Pulslänge, d.h. des Zeitraums der elektrischen Belastung, wird sichergestellt, daß die Bauteildegradation hauptsächlich durch elektrische Größen (U, I, P) und weniger thermisch angeregt wird.
| Typ des Eintrags: |
Dissertation
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| Erschienen: |
2005 |
| Autor(en): |
Mottet, Bastian |
| Art des Eintrags: |
Erstveröffentlichung |
| Titel: |
Zuverlässigkeitsstudien an Höchstfrequenzbauelementen mit gepulsten Techniken (TLP-Methode) |
| Sprache: |
Deutsch |
| Referenten: |
Kostka, Prof. Dr. Arno |
| Berater: |
Hartnagel, Prof. Dr.- Hans Ludwig |
| Publikationsjahr: |
15 Februar 2005 |
| Ort: |
Darmstadt |
| Verlag: |
Technische Universität |
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Datum der mündlichen Prüfung: |
22 Oktober 2004 |
| URL / URN: |
urn:nbn:de:tuda-tuprints-5327 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): |
Diese Arbeit beschreibt die gezielte Anregung zuverlässigkeitsrelevanter Degradations- und Defektmechanismen bei III/V Höchstfrequenzbauelementen (InGaP/GaAs Heterostruktur Bipolartransistor, Pt/GaAs THz-Schottkydiode) unter Verwendung elektrischer Pulse (bekannt als Transmission Line Pulse, TLP-Methode). Desweiteren wird die Einführung von Prozesskontrollschritten und eines erweiterten Prozesskontroll-Systems im Fabrikationsprozess von Terahertz (THz)-Schottkydioden sowie die Auswirkungen auf die Bauteilzuverlässigkeit erläutert. Anhand planarer Schottkydioden wird die Bedeutung der Verknüpfung von Technologie-Entwicklung, Hochfrequenz-Design und Zuverlässigkeits-Tests erörtert. Als wichtigste Ergebnisse werden die Demonstration der Vergleichbarkeit der Ergebnisse der TLP-Methode mit Arrhenius-beschleunigten Zuverlässigkeitsmethoden sowie ihre Anwendbarkeit im Fabrikationsprozess planarer THz-Schottkydioden vorgestellt. Im Vergleich zu Arrhenius-beschleunigten Testmethoden verwendet die hier vorgestellte Methodik elektrische Rechteckpulse zur Beschleunigung der Ausfallmechanismen. Durch eine dem zu stressenden Bauteil mit individueller thermischer Zeitkonstante angepasste Wahl der Pulslänge, d.h. des Zeitraums der elektrischen Belastung, wird sichergestellt, daß die Bauteildegradation hauptsächlich durch elektrische Größen (U, I, P) und weniger thermisch angeregt wird. |
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Alternatives oder übersetztes Abstract: |
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Alternatives Abstract | Sprache |
|---|
This work describes the well-directed excitation of reliability relevant degradation and defect mechanisms for highest-frequency components (InGaP/GaAs heterostructure bipolar transistor, Pt/GaAs Schottky diode for THz-frequencies) using electrical pulses (also known as the transmission line pulse, TLP-method). Further, it introduces an enhanced process control system for the fabrication of planar THz-Schottky diodes and the effect on reliability. With respect to planar Schottky diodes, the importance of linking technology development, RF design and reliability tests is pointed out. The most important results are the demonstration of comparability between the results from the TLP-method and from Arrhenius-based reliability test methods. Additionally, the TLP-method proved the applicability for process optimization with planar THz-Schottky diodes. In comparison to Arrhenius test methods the proposed methodology applies electrical square pulses for acceleration of degradation mechanisms. Electrical stress is ensured by choosing the pulse length, i.e. the electrical stress time, adapted to the thermal time constant of the device. With this approach, mainly electrical parameters (U, I, P) and not thermal ones excite device degradation. | Englisch |
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| Freie Schlagworte: |
Terahertz, TLP-Methode |
| Schlagworte: |
| Einzelne Schlagworte | Sprache |
|---|
| reliability, Schottky diode, heterostructure bipolar transistor, III/V semiconductor, Terahertz, TLP-method | Englisch |
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| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): |
600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): |
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik |
| Hinterlegungsdatum: |
17 Okt 2008 09:21 |
| Letzte Änderung: |
05 Mär 2013 09:26 |
| PPN: |
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| Referenten: |
Kostka, Prof. Dr. Arno |
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Datum der mündlichen Prüfung / Verteidigung / mdl. Prüfung: |
22 Oktober 2004 |
| Schlagworte: |
| Einzelne Schlagworte | Sprache |
|---|
| reliability, Schottky diode, heterostructure bipolar transistor, III/V semiconductor, Terahertz, TLP-method | Englisch |
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